Datasheet Diodes B360BQ-13-F — Datenblatt

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Preise

Detaillierte Beschreibung

Es bietet einen Hochstrom-Gate-Treiber-Ausgang, der N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann.

Das Steuerschema dieses IC ist derart, dass der SR-MOSFET eingeschaltet wird, sobald Strom durch seine Körperdiode fließt, und dann ausgeschaltet wird, wenn sich der Strom Null nähert.
Das schnelle Einschalten mit minimaler Verzögerung und die innovative adaptive Ausschaltlogik ermöglichen es, die Leitungszeit des SR-MOSFET zu maximieren und den Effekt der parasitären Induktivität in der Schaltung zu eliminieren.
Das Gerät wechselt in den Modus mit geringem Verbrauch, wenn es den Burst-Modus des Primärcontrollers erkennt oder wenn der DIS-Pin vom Benutzer hochgezogen wird oder wenn die SR-MOSFET-Leitung unter das programmierte Minimum T _ON fällt. Dies verbessert den Wandlerwirkungsgrad bei geringer Last, wo eine synchrone Gleichrichtung nicht mehr vorteilhaft ist.
Nachdem der Wandler das Schalten neu gestartet hat oder der DIS-Pin wieder auf Low geht und der IC feststellt, dass die Stromleitung in den Gleichrichtern um 20% über den programmierten Mindestwert T T _ON angestiegen ist, verlässt der IC den Modus für niedrigen Verbrauch und nimmt den Schaltvorgang wieder auf.

Verpackung

Parameter

Andere Optionen

B320 B330 B340 B350

Modellreihe

Herstellerklassifikation

• Discrete > Diodes and Rectifiers > Rectifiers > Schottky (.5A and Above)

Andere Namen:

B360BQ13F, B360BQ 13 F