Datasheet Infineon 2ED2182S06F — Datenblatt
650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
Datenblätter
Datasheet 2ED2182 (4) S06F (J)
PDF, 1.0 Mb, Sprache: en, Revision: 02_01, Datei hochgeladen: Jan 13, 2020, Seiten: 24
650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode
650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
| 2ED2182S06FXUMA1 | |
|---|---|
| Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
Andere Optionen
Modellreihe
Serie: 2ED2182S06F (1)
Herstellerklassifikation
- Power > Gate Driver ICs