Datasheet Diodes DGTD65T15H2TF — Datenblatt
Hersteller | Diodes |
Serie | DGTD65T15H2TF |
Artikelnummer | DGTD65T15H2TF |
650V Field Stop IGBT
Datenblätter
Datasheet DGTD65T15H2TF
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650V Field Stop IGBT
650V Field Stop IGBT
Auszug aus dem Dokument
Preise
Detaillierte Beschreibung
Der DGTD65T15H2TF wird mit der fortschrittlichen Field Stop Trench IGBT-Technologie hergestellt, die hohe Leistung, hervorragende Qualität und hohe Robustheit bietet.
Verpackung
Package | ITO220AB (Type MC) |
Parameter
Anti Parallel Diode | Yes |
EOFF typ @ +25°C | 0.086 mJ |
EON typ @ +25°C | 0.27 mJ |
IC @ +100°C | 15 A |
IC @ +25°C | 30 A |
Power Dissipation @ TC = +25°C | 48 W |
Short Circuit | 5 µs |
VCE(sat) max @ +25°C | 2 V |
VCE(sat) typ @ +25°C | 1.65 V |
VCES | 650 V |
Herstellerklassifikation
- Discrete > IGBTs