Datasheet Diodes DGTD65T15H2TF — Datenblatt

HerstellerDiodes
SerieDGTD65T15H2TF
ArtikelnummerDGTD65T15H2TF

650V Field Stop IGBT

Datenblätter

Datasheet DGTD65T15H2TF
PDF, 1.8 Mb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Mar 26, 2019, Seiten: 9
650V Field Stop IGBT
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Der DGTD65T15H2TF wird mit der fortschrittlichen Field Stop Trench IGBT-Technologie hergestellt, die hohe Leistung, hervorragende Qualität und hohe Robustheit bietet.

Verpackung

PackageITO220AB (Type MC)

Parameter

Anti Parallel DiodeYes
EOFF typ @ +25°C0.086 mJ
EON typ @ +25°C0.27 mJ
IC @ +100°C15 A
IC @ +25°C30 A
Power Dissipation @ TC = +25°C48 W
Short Circuit5 µs
VCE(sat) max @ +25°C2 V
VCE(sat) typ @ +25°C1.65 V
VCES650 V

Herstellerklassifikation

  • Discrete > IGBTs