Datasheet New Jersey Semiconductor 2N6661 — Datenblatt

HerstellerNew Jersey Semiconductor
Serie2N6661
Artikelnummer2N6661

Trans-MOSFET N-CH 90 V 0,35 A 3-polig TO-39

Datenblätter

Datasheet
PDF, 111 Kb, Datei hochgeladen: Jun 22, 2018
Auszug aus dem Dokument

Preise

Parameter

CategoryPower MOSFET
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
MaterialSi
Maximum Continuous Drain Current0.35 A
Maximum Drain Source Voltage90 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Maximum Power Dissipation6250 mW
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature Max150 °C
Operating Temperature Min-55 °C

Andere Optionen

2N6659 2N6660

Herstellerklassifikation

  • MOSFET