Datasheet Texas Instruments DRV5012AEDMRT — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieDRV5012
ArtikelnummerDRV5012AEDMRT
Datasheet Texas Instruments DRV5012AEDMRT

Digital-Latch-Hall-Effekt-Sensor mit extrem geringem Stromverbrauch 4-X2SON -40 bis 85

Datenblätter

DRV5012 Ultra-Low-Power Digital-Latch Hall-Effect Sensor datasheet
PDF, 1.1 Mb, Datei veröffentlicht: Aug 18, 2017
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin4
Package TypeDMR
Industry STD TermX2SON
JEDEC CodeR-PSSO-N
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking2AE
Width (mm)1.1
Length (mm)1.4
Thickness (mm).4
Pitch (mm).5
Max Height (mm).4
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

Bandwidth0.020,2.5 kHz
ICC0.0013,0.142 mA
Operate Point(Max)3.3 mT
Operating Temperature Range-40 to 85 C
OutputPush-pull output driver
Package GroupX2SON
Package Size: mm2:W x L4X2SON: 2 mm2: 1.1 x 1.4(X2SON) PKG
RatingCatalog
Release Point(Min)-3.3 mT
Supply Voltage (Vcc)(Max)5.5 V
Supply Voltage (Vcc)(Min)1.65 V
TypeLatch

Öko-Plan

RoHSCompliant

Anwendungshinweise

  • Incremental Rotary Encoder Design Considerations
    PDF, 59 Kb, Datei veröffentlicht: Sep 27, 2017
  • Power Gating Systems with Magnetic Sensors (Rev. A)
    PDF, 442 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Sep 7, 2017

Modellreihe

Serie: DRV5012 (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Sensing Products > Magnetic Sensors > Hall Effect Sensors > Digital Hall Effect Sensors