Datasheet Microchip VN2106 — Datenblatt

HerstellerMicrochip
SerieVN2106

Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren

Datenblätter

VN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 474 Kb, Revision: 12-23-2008
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

VN2106N3-G
Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

VN2106N3-G
N1
PackageTO-92
Pins3

Parameter

Parameters / ModelsVN2106N3-G
BVdss min, V60
CISSmax, pF50
Operating Temperature Range, °C-55 to +150
Rds, on) max4.0
Vgs(th) max, V2.4

Öko-Plan

VN2106N3-G
RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: VN2106 (1)