Datasheet Microchip VN2106N3-G — Datenblatt
Hersteller | Microchip |
Serie | VN2106 |
Artikelnummer | VN2106N3-G |
Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
Datenblätter
VN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 474 Kb, Revision: 12-23-2008
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
Lifecycle Status | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) |
Verpackung
Package | TO-92 |
Pins | 3 |
Parameter
BVdss min | 60 V |
CISSmax | 50 pF |
Operating Temperature Range | -55 to +150 °C |
Rds | 4.0 on) max |
Vgs(th) max | 2.4 V |
Öko-Plan
RoHS | Compliant |
Modellreihe
Serie: VN2106 (1)
- VN2106N3-G
Andere Namen:
VN2106N3G, VN2106N3 G