Datasheet Microchip VN0109 — Datenblatt
Hersteller | Microchip |
Serie | VN0109 |
Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
Datenblätter
VN0109 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 649 Kb, Revision: 06-27-2014
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
VN0109N3-G | |
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Lifecycle Status | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) |
Verpackung
VN0109N3-G | |
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N | 1 |
Package | TO-92 |
Pins | 3 |
Parameter
Parameters / Models | VN0109N3-G |
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BVdss min, V | 90 |
CISSmax, pF | 65 |
Operating Temperature Range, °C | -55 to +150 |
Rds, on) max | 3.0 |
Vgs(th) max, V | 2.4 |
Öko-Plan
VN0109N3-G | |
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RoHS | Compliant |
Modellreihe
Serie: VN0109 (1)