Datasheet Texas Instruments XLMG3410RWHT — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieLMG3410
ArtikelnummerXLMG3410RWHT
Datasheet Texas Instruments XLMG3410RWHT

600 V 12-A Einkanal-GaN-Leistungsstufe 32-VQFN -40 bis 125

Datenblätter

LMG3410 600-V 12-A Single Channel GaN Power Stage datasheet
PDF, 630 Kb, Revision: B, Datei veröffentlicht: Mar 24, 2017
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityYes

Verpackung

Pin32
Package TypeRWH
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Width (mm)8
Length (mm)8
Thickness (mm).9
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle-Channel Power Stage
Control MethodExternal
Coss71 pF
ID(Max)12 A
Logic Level3V to 5V CMOS and TTL
Package GroupVQFN
Prop Delay20 ns
RDS (on)70 Milliohm
RatingCatalog
VCC12 V
VDS(Max)600 V

Öko-Plan

RoHSSee ti.com

Design Kits und Evaluierungsmodule

  • Evaluation Modules & Boards: LMG3410-HB-EVM
    LMG3410 Daughter Card
    Lifecycle Status: Active (Recommended for new designs)
  • Evaluation Modules & Boards: LMG34XX-BB-EVM
    LMG34xx GaN System-level Evaluation Mother Board
    Lifecycle Status: Active (Recommended for new designs)

Anwendungshinweise

  • High Voltage Half Bridge Design Guide for LMG3410 Smart GaN FET
    PDF, 694 Kb, Datei veröffentlicht: Feb 23, 2016

Modellreihe

Serie: LMG3410 (1)
  • XLMG3410RWHT

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Gallium Nitride (GaN)В  Solutions > GaN FET Modules