Datasheet Texas Instruments DRV5013AGQDBZR — Datenblatt
Hersteller | Texas Instruments |
Serie | DRV5013 |
Artikelnummer | DRV5013AGQDBZR |
Hall-Latch-Sensor mit 2,5 V bis 38 V Hall-Effekt 3-SOT-23 -40 bis 125
Datenblätter
DRV5013 Digital-Latch Hall Effect Sensor datasheet
PDF, 1.3 Mb, Revision: H, Datei veröffentlicht: Sep 16, 2016
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
Manufacture's Sample Availability | Yes |
Verpackung
Pin | 3 |
Package Type | DBZ |
Industry STD Term | SOT-23 |
JEDEC Code | R-PDSO-G |
Package QTY | 3000 |
Carrier | LARGE T&R |
Device Marking | +NLAG |
Width (mm) | 1.3 |
Length (mm) | 2.92 |
Thickness (mm) | 1 |
Pitch (mm) | .96 |
Max Height (mm) | 1.22 |
Mechanical Data | Herunterladen |
Parameter
Bandwidth | 30 kHz |
ICC | 2.7 mA |
Operate Point(Max) | 3.4,5,9,18 mT |
Operating Temperature Range | -40 to 125 C |
Output | Open drain |
Package Group | SOT-23 |
Package Size: mm2:W x L | 3SOT-23: 4 mm2: 1.3 x 2.92(SOT-23) PKG |
Rating | Catalog |
Release Point(Min) | -3.4,-5,-9,-18 mT |
Supply Voltage (Vcc)(Max) | 38 V |
Supply Voltage (Vcc)(Min) | 2.5 V |
Type | Latch |
Öko-Plan
RoHS | Compliant |
Anwendungshinweise
- Incremental Rotary Encoder Design ConsiderationsPDF, 59 Kb, Datei veröffentlicht: Sep 27, 2017
- Understanding and Applying Hall Effect Sensor DatasheetsPDF, 458 Kb, Datei veröffentlicht: Jun 26, 2014
- Power Gating Systems with Magnetic Sensors (Rev. A)PDF, 442 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Sep 7, 2017
Modellreihe
Serie: DRV5013 (13)
Herstellerklassifikation
- Semiconductors > Sensing Products > Magnetic Sensors > Hall Effect Sensors > Digital Hall Effect Sensors