Datasheet Texas Instruments CSD18504Q5AT — Datenblatt
Hersteller | Texas Instruments |
Serie | CSD18504Q5A |
Artikelnummer | CSD18504Q5AT |
40 V, N-Kanal NexFET ™ Leistungs-MOSFET 8-VSONP -55 bis 150
Datenblätter
CSD18504Q5A 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 410 Kb, Revision: E, Datei veröffentlicht: Sep 9, 2014
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
Manufacture's Sample Availability | No |
Verpackung
Pin | 8 |
Package Type | DQJ |
Package QTY | 250 |
Carrier | SMALL T&R |
Device Marking | CSD18504 |
Width (mm) | 6 |
Length (mm) | 4.9 |
Thickness (mm) | 1 |
Mechanical Data | Herunterladen |
Parameter
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 75 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 275 A |
Package | SON5x6 mm |
QG Typ | 16 nC |
QGD Typ | 2.4 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 7.5 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=10V | 6.6 mOhms |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 9.8 mOhms |
VDS | 40 V |
VGS | 20 V |
VGSTH Typ | 1.8 V |
Öko-Plan
RoHS | Compliant |
Pb Free | Yes |
Design Kits und Evaluierungsmodule
- Evaluation Modules & Boards: EM1402EVM
16-Channel Active Cell Balance Evaluation Module
Lifecycle Status: Active (Recommended for new designs)
Anwendungshinweise
- Ceramic or electrolytic output capacitors in DC/DC converters—Why not both?PDF, 2.1 Mb, Datei veröffentlicht: Jul 24, 2015
- Analog Applications Journal 3Q 2015PDF, 7.1 Mb, Datei veröffentlicht: Jul 24, 2015
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011
Modellreihe
Serie: CSD18504Q5A (2)
- CSD18504Q5A CSD18504Q5AT
Herstellerklassifikation
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor