Datasheet Texas Instruments TLE2161MJGB — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieTLE2161M
ArtikelnummerTLE2161MJGB
Datasheet Texas Instruments TLE2161MJGB

JFET-Eingang Low Power High Drive Dekompensierter Einzelbetriebsverstärker 8-CDIP -55 bis 125

Datenblätter

Excalibur JFET-Input High-Output-Drive Micro Power Operational Amplifiers datasheet
PDF, 1.0 Mb, Revision: D, Datei veröffentlicht: May 1, 1996
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin88
Package TypeJGJG
Industry STD TermCDIPCDIP
JEDEC CodeR-GDIP-TR-GDIP-T
Package QTY11
CarrierTUBETUBE
Device MarkingTLE2161M9095801QPA
Width (mm)6.676.67
Length (mm)9.69.6
Thickness (mm)4.574.57
Pitch (mm)2.542.54
Max Height (mm)5.085.08
Mechanical DataHerunterladenHerunterladen

Parameter

Additional FeaturesDecompensated
ArchitectureFET
CMRR(Min)72 dB
CMRR(Typ)90 dB
GBW(Typ)6.4 MHz
IIB(Max)60 pA
Iq per channel(Max)0.35 mA
Iq per channel(Typ)0.29 mA
Number of Channels1
Offset Drift(Typ)6 uV/C
Operating Temperature Range-55 to 125 C
Output Current(Typ)50 mA
Package GroupCDIP
Package Size: mm2:W x LSee datasheet (CDIP) PKG
Rail-to-RailIn to V+
RatingMilitary
Slew Rate(Typ)10 V/us
Total Supply Voltage(Max)36 +5V=5, +/-5V=10
Total Supply Voltage(Min)7 +5V=5, +/-5V=10
Vn at 1kHz(Typ)40 nV/rtHz
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max)3 mV

Öko-Plan

RoHSSee ti.com

Anwendungshinweise

  • TLE2161 EMI Immunity Performance
    PDF, 90 Kb, Datei veröffentlicht: Dec 31, 2013

Modellreihe

Serie: TLE2161M (3)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Space & High Reliability > Amplifier > Operational Amplifiers