Datasheet Texas Instruments CSD16327Q3 — Datenblatt
| Hersteller | Texas Instruments |
| Serie | CSD16327Q3 |
| Artikelnummer | CSD16327Q3 |
N-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150
Datenblätter
CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 419 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Sep 28, 2016
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
| Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
| Manufacture's Sample Availability | Yes |
Verpackung
| Pin | 8 |
| Package Type | DQG |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Device Marking | CSD16327 |
| Width (mm) | 3.3 |
| Length (mm) | 3.3 |
| Thickness (mm) | 1 |
| Mechanical Data | Herunterladen |
Parameter
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 112 A |
| Package | SON3x3 mm |
| QG Typ | 6.2 nC |
| QGD Typ | 1.1 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 4 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 4.8 mOhms |
| VDS | 25 V |
| VGS | 10 V |
| VGSTH Typ | 1.2 V |
Öko-Plan
| RoHS | Compliant |
| Pb Free | Yes |
Anwendungshinweise
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011
Modellreihe
Serie: CSD16327Q3 (2)
- CSD16327Q3 CSD16327Q3T
Herstellerklassifikation
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor