Datasheet NTE451 - NTE Electronics JFET, -25 V, 20 mA, TO-92-3 — Datenblatt

Detaillierte Beschreibung

Manufacturer: NTE Electronics

Description: JFET, -25 V, 20 mA, TO-92-3

Download Data Sheet

Docket:
NTE451 Silicon N­Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: Drain­Gate Voltage, VDG .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Reverse Gate­Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­65° to +150°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Specifications:

• Breakdown Voltage Vbr: -25 V
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -4 V
• Power Dissipation: 350 mW
• Transistor Type: JFET
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 4 mA to 20 mA